Küresel teknoloji devlerinin enerji verimliliği arayışı sürerken, Sungkyunkwan Üniversitesi'nden Profesör Taesung Kim liderliğindeki ekip, mevcut bilgisayar mimarilerini kökten değiştirecek bir üretim metodu geliştirdi. Mevcut ‘von Neumann mimarisi’ndeki işlemci ve bellek arasındaki veri trafiği darboğazını ortadan kaldıran ‘bellek içi hesaplama’ (in-memory computing) yöntemi, yeni nesil ferroelektrik transistörlerle bir üst seviyeye taşınıyor.
ATOMİK HİZALAMADA ‘DAR GİYSİ’ MODELİ
Hafniyum oksit malzemesinin işlenmesindeki zorlukları aşmak için geliştirilen bu yöntem, adını Kore’nin meşhur balık şeklindeki hamur işi ‘bungeoppang’dan alıyor. Araştırmacılar, kimyasal katkılar yerine fiziksel bir kuvvet kullanarak atomları hizalamayı başardı.
Teknolojinin Çalışma Prensibi:

YÜKSEK KARARLILIK VE YÜZDE 97,2 DOĞRULUK
ACS Nano dergisinde yayınlanan bulgular, bu yöntemle üretilen ultra ince yarı iletkenlerin performans verilerini de ortaya koydu. Geliştirilen cihazlar:
AKILLI TELEFONLAR VE OTONOM ARAÇLAR
Profesör Taesung Kim, bu buluşun kilit noktasının ‘kimyasal modifikasyon yerine fiziksel tasarım’ olduğunu vurguluyor. Teknolojinin ticarileşmesi durumunda; batarya ömrünün kritik olduğu akıllı telefonlar, gerçek zamanlı veri işleme zorunluluğu olan otonom araçlar ve devasa enerji tüketen veri merkezlerinde yeni bir verimlilik standardı oluşması bekleniyor.
Yarı iletken sanayiindeki bu ‘termal kuvvet’ devrimi, yapay zekayı daha erişilebilir ve sürdürülebilir bir noktaya taşıyabilir.