Warwick Üniversitesi ve Kanada Ulusal Araştırma Konseyi’nden bilim insanları, silikon uyumlu bir germanyum tabakada bugüne kadar kaydedilen en yüksek elektriksel iletkenliğe ulaştıklarını açıkladı. Materials Today’de yayımlanan araştırmaya göre, ekip nanometre inceliğinde sıkıştırılmış germanyum tabakası kullanarak yeni bir kuantum malzeme elde etti.
REKOR YÜK HAREKETLİLİĞİ
Araştırmacılar, ultra ince germanyum tabakasına kontrollü basınç gerilimi uygulayarak, elektrik yükünün çok daha hızlı ve kolay hareket edebildiği bir kristal yapı oluşturdu. Ölçümler, malzemenin volt-saniye başına 7,15 milyon santimetrekare delik hareketliliği sağladığını gösteriyor.
YARI İLETKEN ENDÜSTRİSİNDE YENİ DÖNEM
Bu başarı, modern çiplerin sınırlarına yaklaşan yarı iletken endüstrisi için önemli bir adım olarak görülüyor. Dr. Maksym Myronov, yeni malzemenin yüksek hareketliliği endüstriyel ölçeklenebilirlikle birleştirdiğini ve kuantum ile klasik büyük ölçekli devreler için temel oluşturduğunu belirtti.
ENTEGRE ÜRETİM AVANTAJI
Yeni germanyum-silikon malzemesi, mevcut silikon üretim altyapısıyla uyumlu şekilde geliştirildi. Böylece, çip üreticileri için maliyet avantajı ve dağıtımda hız sağlanması hedefleniyor.
GELECEK UYGULAMALAR VE ORTAKLIKLAR
Ekip, yeni materyalin kuantum bilgi sistemleri, spin tabanlı kübitler ve ultra düşük güç tüketimli işlemciler için kullanılabileceğini vurguluyor. Araştırmacılar, malzemenin gelişimini sürdürmek ve potansiyel cihaz mimarileri konusunda iş birlikleri yapmak üzere çalışmalara devam edeceklerini belirtti.
